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张保平
长聘教授
zhangbp@sustech.edu.cn
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主要工作业绩：

  • 长期从事半导体相关的研究工作，包括InP,GaAs,ZnSe,ZnO等。2006回国以来主要进行第三代半导体GaN材料与器件研究，特别是蓝绿光垂直腔面发射激光器（VCSEL）等，是大陆唯一研制出该器件的课题组负责人，并且在绿色VCSEL方面处于国际先进水平。采用量子点，将该器件的发光波长从国际上报道的503 nm延伸到了565 nm，并实现了室温连续激射，阈值电流达到国际最好；发明了利用蓝光量子阱中局域态和谐振腔模式相耦合，实现绿光VCSEL的新方法；首次在InGaN量子阱中实现了激子极化激元的室温激射;首次实现深紫外波段VCSEL(276 nm)。

  • 至今发表论文200余篇，授权发明专利20余项。


教育经历：

1979.09—1983.07  兰州大学物理系半导体专业学习，获理学学士学位

1983.09—1986.02  河北半导体研究所（中国电子科技集团第十三研究所）半导体物理与器件专业研究生学习，获工学硕士学位

1989.04—1990.03  日本东京大学进修学习

1990.04—1994.06  日本东京大学研究生院工学系研究科应用物理专业研究生学习，获工学博士学位


工作经历：

1986.03—1989.03  河北半导体研究所（中国电子科技集团第十三研究所）

1994.07—1998.03  日本理化学研究所研究员

1998.03—1999.03  日本夏普株式会社电子器件研究所主任

1999.04—2005.03  日本理化学研究所研究员

2005.04—2005.12  日本科学技术振兴机构研究员；理化学研究所研究员

2006.01—2008.07  厦门大学物理与机电工程学院，闽江学者特聘教授(博导)

2008.07—2011.08  厦门大学萨本栋微机电研究中心副主任；物理与机电工程学院，闽江学者特聘教授

2011.08—2013.01  厦门大学物理与机电工程学院，闽江学者特聘教授

2013.01—2013.02  厦门大学信息科学与技术学院，闽江学者特聘教授

2013.02—2017.09  厦门大学信息科学与技术学院电子工程系主任，闽江学者特聘教授

2017.09—2023.12.26  厦门大学电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）副院长、闽江学者特聘教授

2023.12.28—至今  南方科技大学工学院纳米科学与应用研究院


在研项目（主持）：

  • 国家基金委重点项目（GaN基紫外VCSEl关键技术研究，2023.01-2027.12）

  • 国家基金委联合基金项目（GaN基绿光VCSEL研究，2022.01-2025.12）

  • 联合实验室项目（南方科技大学纳米科学与应用研究院-江西德瑞光电技术有限公司 先进光电器件及应用联合实验室，2024.08-2029.07）


已结题项目（主持）：

  • 国家863项目

  • 国家重点研发计划项目

  • 国家基金委联合基金项目（2016.01-2019.12）

  • 国家基金委面上项目（共计4项）

  • 国家科工局基础科学挑战专题项目

  • 厦门市科技项目


荣誉、受赏、社会兼职：

  • 福建省自然科学三等奖

  • 广东省科技进步二等奖

  • 入选爱思唯尔（Elsevier）社发布的2014~2024年中国高被引学者榜单

  • 福建省闽江学者特聘教授

  • 福建省高层次A类人才

  • 四川省千人计划

  • 厦门大学南强重点岗位教授

  • 鹏城孔雀计划特聘岗位A档

  • 任SCI收录杂志Semiconductor Science and Technology 副主编(Executive editor),Nano-Micro Letters和EI收录《发光学报》编委。

  • 教育部 “紫外光发射材料与技术”和“发光与光信息技术”重点实验室学术委员会成员。

  • 氮化物半导体领域国际会议ICNS (International Conference on Nitride Semiconductors), IWN (International Workshop on Nitride Semiconductors) and APWS (Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors)程序委员会成员。

  • 曾任第十二届厦门市政协委员。

 

发表论文（摘录）：

1. W. Ou, Y. Mei, H. Long, Y. K. Wang, T. Yang, Y. H. Chen, L. Y. Ying, Z. M. Zheng and B. P. Zhang, "Orthogonally and linearly polarized green emission from a semipolar InGaN based microcavity" Nanophotonics, 13(2023): 75-83.

2. T. Yang, Y. H. Chen, Y. C. Wang, W. Ou, L. Y. Ying, Y. Mei, A. Q. Tian, J. P. Liu, H. C. Guo and B. P. Zhang, "Green Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on InGaN Quantum Dots and Short Cavity", Nano-Micro Letters, 15(2023): 223.

3. X. Hou, T. Yang, S. S. Fan, H. Xu, D. Lida, Y. J. Liu, Y. Mei, G. E. Weng, S. Q. Chen, Weng,B. P. Zhang and K. Ohkawa, "Optical properties of InGaN-based red multiple quantum wells", Applied physics letters, 26(2022): 120.

4. Z. M. Zheng, Y. K. Wang, J. Hoo, S. P. Guo, Y. Mei, H. Long, L. Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang* “High-quality AlGaN epitaxial structures and realization of UVC vertical cavity surface-emitting lasers”, SCIENCE CHINA Materials, 66（2023）1978-1988.

5. Z. L. Lin, Y. Man, Z. Y. Lv, B. P. Zhang, H. Xu, D. Q. Yu, X. C. Yang, Y. He, X. W. Shi, L. Y. Ying and D. Zhang*, "High-Gain of NdIII Complex Doped Optical Waveguide Amplifiers at 1.06 and 1.31 µm Wavelengths Based on Intramolecular Energy Transfer Mechanism", Advanced Materials, 35(2023):2209239.

6. M.Yuan, M. K. Zhang, Z. Fu, S. Han, Y. N. Zhang, S. X.Wu, R. D. Hong, X. P. Chen, B. P. Zhang, J. Chen Wang and F. Zhang, "Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodetectors Based on Al Nanoparticle in 4H-SiC Microholes", ACS Appl. Nano Mater, 6(2023) :11.

7. Y. Mei, M. C. Xie, T. Yang, X. Hou, W. Ou, H. Long, L. Y. Ying, Y. J. Liu, G. E. Weng, S. Q. Chen and B. P. Zhang, “Improvement of the Emission Intensity of GaN-Based Micro-Light Emitting Diodes by a Suspended Structure”, ACS Photonics 2022, 9, 3967−3973.

8. Y. Mei, M. C. Xie, H. Long, L. Y. Ying, B. P. Zhang, "Low threshold GaN-based microdisk lasers on Silicon with high Q factor", J. Lightwave Technology, 40.9 (2022): 2952-2958.

9. （特邀）王玉坤，郑重明，龙浩，梅洋，张保平，“氮化物垂直腔面发射激光器的发展与挑战”， 光子学报，51.2 (2022): 0251203.

10. S. Yang, H. Xu, H. Long, L. Y. Ying, R. H. Luo, M. J. Zhong, W. R. Lu, X. Hou, Y. Mei, B. P. Zhang, "GaN-Based Green Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes with Al mirror and copper plate ", Optics Letters, 47.11 (2022): 2858-2861.

11. W. Ou, Y. Mei, Daisuke Iida, H. Xu, M. C. Xie, Y. W. Wang, L. Y. Ying, B. P. Zhang, Kazuhiro Ohkawa, "InGaN-Based Orange-Red Resonant Cavity Light-Emitting Diodes"，J. Lightwave Technology, 40.13 (2022): 4337-4343.

12. X. Hou, S. S. Fan, H. Xu, Daisuke Iida, Y. J. Liu, Y. Mei, G. E. Weng, S. Q. Chen B. P. Zhang, K. Ohkawa, "Optical properties of InGaN-based red multiple quantum wells", Applied Physics Letters, 120.26 (2022): 261102.

13. Y. Mei, Y. H. Chen, L.Y. Ying, A. Q. Tian, G. E. Weng, H. Long, J. P. Liu and B. P. Zhang, "Dual-wavelength switching in InGaN quantum dot micro-cavity light-emitting diodes", Optics Express, 30.15 (2022): 27472-27481.

14. X. R. Luo, B. P. Zhang, Y. H. Lu, Y. Mei and L. Shen, "Advances in application of ultraviolet irradiation for biofilm control in water and wastewater infrastructure", Journal of Hazardous Materials, 421 (2022): 126682.

15. Y. Mei, Y. H. Chen, L. Y. Ying, Z. W. Zheng, H. Long, B. P. Zhang, "High Q factor Electrically Injected Green Micro Cavity", J. Lightwave Technology, 39.9 (2021): 2895-2900.

16. Z. M. Zheng, Y. Mei, H. Long, H. Jason, S. P. Guo, Q. X. Li, L.Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang, "AlGaN-based deep ultraviolet vertical cavity surface emitting laser", IEEE Electron Device Letters, 42.3 (2021): 375-378.

17. Y. Mei, T. R. Yang, W. Ou, Z. M. Zheng, H. Long, L. Y. Ying, B. P. Zhang, "Low-threshold wavelength-tunable ultraviolet vertical-cavity surface-emitting lasers from 376 to 409 nm", Fundamental Research, 1.6 (2021): 684-690.

18. X. Hou, S. S. Fan, D. Iida, Y. Mei, B. P. Zhang*, K. Ohkawa, "Photoluminescence of InGaN-based red multiple quantum wells", Optics Express, 29.19 (2021): 30237-30243.

19. J. Z. Wu, H. Long*, X. L. Shi, S. Luo, Z. H. Chen, Z. C. Feng, L. Y. Ying, Z. W. Zheng and B. P. Zhang, "Polariton lasing in InGaN quantum wells at room temperature", Opto-Electron Adv, 2.12 (2019): 190014-1.

20. (Invited) Y. Mei, R. B. Xu, L. Y. Ying, J. P. Liu, Z.W. Zheng, H. Long, B. P. Zhang, "Room temperature continuous wave lasing of GaN-based green vertical-cavity surface-emitting lasers", Gallium Nitride Materials and Devices XIV, 10918 (2019): 109181H; SPIE OPTO, 2019, San Francisco, California, United States

21. P. O. Nyangaresi, Y. Qin, G. L. Chen, B. P. Zhang, Y. H. Lu, and L. Shen "Comparison of the performance of pulsed and continuous UVC-LED irradiation in the inactivation of bacteria”, Water Research, 157 (2019): 218-227.

22. P. O. Nyangaresi, Y. Qin, G. L. Chen, B. P. Zhang, Y. H. Lu, and L. Shen, "Effects of single and combined UV-LEDs on inactivation and subsequent reactivation of E. coli in water disinfection", Water Research, 147 (2018): 331-341.

23. (REVIEW) H. C. Yu, Z. W. Zheng, Y. Mei, R. B. Xu, J. P. Liu, H. Yang, B. P. Zhang, T. C. Lu, and H. C. Kuo, "Progress and prospects of GaN-based VCSEL from near UV to green emission", Progress in Quantum Electronics, 57 (2018): 1–19.

24. Y. Mei, G. E. Weng, B. P. Zhang, J. P. Liu, W. Hofmann, L. Y. Ying, J. Y. Zhang, Z. C. Li, H. Yang and H. C. Kuo, "Quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers covering the “green gap”", Light: Science & Applications. 6.1 (2017): e16199.